Полевой транзистор MOSFET STD18N55M5 от ST Microelectronics – это высоконадежный и эффективный компонент, предназначенный для использования в широком спектре электронных устройств. Обладая впечатляющими техническими характеристиками, этот транзистор является оптимальным выбором для применений, требующих высокое напряжение, ток и мощность.

Ключевые преимущества транзистора STD18N55M5 включают в себя высокое напряжение сток-исток до 550 В, максимальный ток стока до 16 А, а также высокую мощность рассеяния до 110 Вт. Эти характеристики делают данный компонент идеальным решением для использования в различных силовых схемах, инверторах, импульсных источниках питания и других приложениях, где требуется высокая производительность.

• Напряжение исток-сток макс.: 550В
• Ток стока макс.: 16A
• Сопротивление открытого канала: 192 мОм
• Мощность макс.: 110Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5В
• Заряд затвора: 31нКл
• Входная емкость: 1260пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: DPAK
• Вес брутто: 0.43 г
• Описание Eng: N-channel 550 V, 0.18 Ohm, 13 A
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 2500 шт

Транзистор STD18N55M5 находит широкое применение в различных областях электроники, включая промышленные инверторы, импульсные источники питания, системы управления двигателями, преобразователи мощности и многое другое. Его высокие характеристики и надежность делают этот компонент незаменимым выбором для инженеров, разрабатывающих высокопроизводительные и энергоэффективные электронные устройства.