STD17NF25, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 17A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 250В |
| Ток стока макс.: | 17A |
| Сопротивление открытого канала: | 165 мОм |
| Мощность макс.: | 90Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 29.5нКл |
| Входная емкость: | 1000пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK |
| Вес брутто: | 0.7 г. |
| Наименование: | STD17NF25 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | N-channel 250 V, 0.14 Ohm, 17 A |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный N-канальный полевой транзистор MOSFET STD17NF25 от компании ST Microelectronics. Данная модель отличается превосходными характеристиками, надежностью и широкими возможностями применения в современной электронике.
STD17NF25 - это мощный полевой транзистор с напряжением сток-исток до 250В и максимальным током стока до 17А. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 165 мОм, транзистор обеспечивает высокую эффективность и малые потери мощности, что делает его идеальным выбором для широкого спектра применений, требующих коммутации больших токов и напряжений.
- Напряжение исток-сток макс.: 250В
- Ток стока макс.: 17A
- Сопротивление открытого канала: 165 мОм
- Мощность макс.: 90Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 29.5нКл
- Входная емкость: 1000пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: DPAK
- Вес брутто: 0.7 г
- Описание Eng: N-channel 250 V, 0.14 Ohm, 17 A
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 2500 шт
STD17NF25 находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока, инверторы, системы управления двигателями и многое другое. Благодаря своим выдающимся характеристикам и надежности, данный транзистор является оптимальным выбором для инженеров, разрабатывающих современную высокопроизводительную электронную аппаратуру.