STD4N62K3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 620В |
| Ток стока макс.: | 3.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.95 Ом |
| Мощность макс.: | 70Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 14нКл |
| Входная емкость: | 450пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK |
| Вес брутто: | 0.38 г. |
| Наименование: | STD4N62K3 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | N-channel 620 V, 1.7 Ohm, 3.8 A |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор STD4N62K3 от компании ST Microelectronics. Это N-канальный MOSFET-транзистор, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток 620 вольт и ток стока до 3.8 ампер. Благодаря своим характеристикам, данный компонент идеально подходит для использования в различных силовых электронных схемах.
Транзистор STD4N62K3 отличается низким сопротивлением открытого канала всего 1.95 Ом, что обеспечивает высокую энергоэффективность устройств на его основе. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 70 ватт, что делает его применение возможным в широком диапазоне условий эксплуатации.
- Напряжение исток-сток макс.: 620В
- Ток стока макс.: 3.8A
- Сопротивление открытого канала: 1.95 Ом
- Мощность макс.: 70Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Заряд затвора: 14нКл
- Входная емкость: 450пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: DPAK
- Вес брутто: 0.38 г
- Описание Eng: N-channel 620 V, 1.7 Ohm, 3.8 A
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 2500 шт
Транзистор STD4N62K3 находит широкое применение в импульсных источниках питания, преобразователях постоянного тока, инверторах, усилителях мощности и других устройствах, где требуются компоненты, способные работать при высоких напряжениях и токах. Благодаря своим техническим характеристикам, он является надежным и эффективным решением для современной силовой электроники.