STD8N65M5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 70Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 7A |
| Сопротивление открытого канала: | 600 мОм |
| Мощность макс.: | 70Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 15нКл |
| Входная емкость: | 690пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.49 г. |
| Наименование: | STD8N65M5 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | N-MOS+D 650V, 7A, 70W |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор N-канала STD8N65M5 от компании ST Microelectronics. Этот компонент отличается сочетанием впечатляющих технических характеристик и надежности, что делает его востребованным решением для широкого спектра электронных устройств.
Транзистор STD8N65M5 обладает номинальным напряжением сток-исток до 650 В и максимальным током стока до 7 А, а также может работать при мощности до 70 Вт. Благодаря этим параметрам, он идеально подходит для использования в высоковольтных и высокомощных схемах, таких как источники питания, инверторы, преобразователи и другие приложения.
- Напряжение исток-сток макс.: 650В
- Ток стока макс.: 7A
- Сопротивление открытого канала: 600 мОм
- Мощность макс.: 70Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Заряд затвора: 15нКл
- Входная емкость: 690пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: DPAK/TO-252AA
- Вес брутто: 0.49 г
- Описание Eng: N-MOS+D 650V, 7A, 70W
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 2500 шт
Транзистор STD8N65M5 идеально подходит для использования в таких приложениях, как импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока, инверторы для солнечных панелей, индукционные нагреватели, электродвигатели и другие высоковольтные и высокомощные схемы. Его надежность и высокие характеристики делают его незаменимым компонентом для современной силовой электроники.