• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

STD8N65M5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 70Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ST Microelectronics
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:650В
Ток стока макс.:7A
Сопротивление открытого канала:600 мОм
Мощность макс.:70Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:15нКл
Входная емкость:690пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:DPAK/TO-252AA
Вес брутто:0.49 г.
Наименование:STD8N65M5
Производитель:ST Microelectronics
Описание Eng:N-MOS+D 650V, 7A, 70W
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:2500 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор N-канала STD8N65M5 от компании ST Microelectronics. Этот компонент отличается сочетанием впечатляющих технических характеристик и надежности, что делает его востребованным решением для широкого спектра электронных устройств.

Транзистор STD8N65M5 обладает номинальным напряжением сток-исток до 650 В и максимальным током стока до 7 А, а также может работать при мощности до 70 Вт. Благодаря этим параметрам, он идеально подходит для использования в высоковольтных и высокомощных схемах, таких как источники питания, инверторы, преобразователи и другие приложения.

  • Напряжение исток-сток макс.: 650В
  • Ток стока макс.: 7A
  • Сопротивление открытого канала: 600 мОм
  • Мощность макс.: 70Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 5В
  • Заряд затвора: 15нКл
  • Входная емкость: 690пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: DPAK/TO-252AA
  • Вес брутто: 0.49 г
  • Описание Eng: N-MOS+D 650V, 7A, 70W
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 2500 шт

Транзистор STD8N65M5 идеально подходит для использования в таких приложениях, как импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока, инверторы для солнечных панелей, индукционные нагреватели, электродвигатели и другие высоковольтные и высокомощные схемы. Его надежность и высокие характеристики делают его незаменимым компонентом для современной силовой электроники.