Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала STP11NM80 от компании ST Microelectronics. Этот транзистор отличается превосходными характеристиками и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.

STP11NM80 - это мощный транзистор с максимальным напряжением сток-исток 800 В и током стока до 11 А. Его низкое сопротивление открытого канала в 400 мОм обеспечивает высокую эффективность и малые потери энергии. Транзистор имеет небольшой заряд затвора и входную емкость, что позволяет использовать его в высокочастотных схемах.

• Напряжение исток-сток макс.: 800В
• Ток стока макс.: 11A
• Сопротивление открытого канала: 400 мОм
• Мощность макс.: 150Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5В
• Заряд затвора: 43.6нКл
• Входная емкость: 1630пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.74 г.

Транзистор STP11NM80 идеально подходит для использования в различных силовых электронных схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, электродвигатели и другие высоковольтные и высокотоковые применения. Его надежность и высокие рабочие характеристики делают его незаменимым компонентом для современной электроники.