Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный BST82,215 от производителя NEXPERIA. Этот компонент отличается высокими показателями рабочего напряжения и тока, а также низким сопротивлением открытого канала, что делает его отличным выбором для широкого спектра электронных схем и устройств.

Ключевые характеристики транзистора BST82,215:

• Напряжение исток-сток макс.: 100В
• Ток стока макс.: 190мА
• Сопротивление открытого канала: 10 Ом
• Мощность макс.: 830мВт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 2В
• Входная емкость: 40пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: SOT-23
• Вес брутто: 0.05 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 3000 шт

Транзистор BST82,215 широко используется в различных электронных схемах, таких как усилители мощности, импульсные источники питания, ключевые схемы, инверторы и многое другое. Благодаря своим характеристикам, он является отличным выбором для применений, требующих высокое рабочее напряжение и ток при низком сопротивлении канала.