SI3457CDV-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 5.1 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 5.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 74 мОм |
| Мощность макс.: | 3Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 15нКл |
| Входная емкость: | 450пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23-6 |
| Наименование: | SI3457CDV-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
Компонент SI3457CDV-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 5.1 А - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 74 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.