FDP100N10, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А, 0.01 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 75A |
| Сопротивление открытого канала: | 10 мОм |
| Мощность макс.: | 208Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 100нКл |
| Входная емкость: | 7300пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FDP100N10 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
FDP100N10, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А, 0.01 Ом - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.