SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.1А 1.6Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 3.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 112 мОм |
| Мощность макс.: | 1.6Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 10нКл |
| Входная емкость: | 405пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 |
| Вес брутто: | 0.03 г. |
| Наименование: | SI2301CDS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.1А 1.6Вт - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 112 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.