BSP250,115, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 3A |
| Сопротивление открытого канала: | 250 мОм |
| Мощность макс.: | 1.65Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.8В |
| Заряд затвора: | 25нКл |
| Входная емкость: | 250пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.18 г. |
| Наименование: | BSP250,115 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию транзистор MOSFET P-канальный BSP250,115 от компании NEXPERIA. Этот высококачественный компонент предназначен для использования в широком спектре электронных устройств, требующих надежной и эффективной коммутации цепей питания.
Транзистор BSP250,115 отличается высокой производительностью и долговечностью, обеспечивая максимальное напряжение исток-сток до 30В и ток стока до 3А. Его сопротивление открытого канала составляет всего 250 мОм, что позволяет минимизировать потери мощности и тепловыделение при работе устройства.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 3A
- Сопротивление открытого канала: 250 мОм
- Мощность макс.: 1.65Вт
- Тип транзистора: P-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
- Заряд затвора: 25нКл
- Входная емкость: 250пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-223
- Вес брутто: 0.18 г
Транзистор BSP250,115 идеально подходит для применения в различных электронных устройствах, таких как источники питания, регуляторы напряжения, усилители мощности, коммутаторы, и многие другие. Его высокая производительность и надежность делают его незаменимым компонентом для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные системы.