FDC3535, Полевой транзистор, P-канальный, 80 В
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 80В |
| Ток стока макс.: | 2.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 183 мОм |
| Мощность макс.: | 700мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 20нКл |
| Входная емкость: | 880пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SSOT6 |
| Наименование: | FDC3535 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 80V 6-SSOT |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
Компонент FDC3535, Полевой транзистор, P-канальный, 80 В - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 183 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.