DMN2600UFB-7, Транзистор полевой N-канальный 25В 1.3A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 25В |
| Ток стока макс.: | 1.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 350 мОм |
| Мощность макс.: | 540мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 0.85нКл |
| Входная емкость: | 70.13пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-883 |
| Наименование: | DMN2600UFB-7 |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 25V 1.3A Automotive 3-Pin DFN T/R |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
DMN2600UFB-7, Транзистор полевой N-канальный 25В 1.3A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Diodes Incorporated. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 540мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.