SI2304DDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.3А 1.7Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 3.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 60 мОм |
| Мощность макс.: | 1.7Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.2В |
| Заряд затвора: | 6.7нКл |
| Входная емкость: | 235пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Вес брутто: | 0.03 г. |
| Наименование: | SI2304DDS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Компонент SI2304DDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.3А 1.7Вт - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.