IPA65R600C6XKSA1, Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 7.3 А
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 7.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 600 мОм |
| Мощность макс.: | 28Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.5В |
| Заряд затвора: | 23нКл |
| Входная емкость: | 440пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Наименование: | IPA65R600C6XKSA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 500 шт. |
Описание
IPA65R600C6XKSA1, Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 7.3 А - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 28Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.