BSC039N06NS, Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 19A |
| Сопротивление открытого канала: | 3.9 мОм |
| Мощность макс.: | 69Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.8В |
| Заряд затвора: | 27нКл |
| Входная емкость: | 2000пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | TDSON-8 FL |
| Вес брутто: | 0.05 г. |
| Наименование: | BSC039N06NS |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R |
| Нормоупаковка: | 5000 шт. |
Описание
BSC039N06NS, Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.