DMN6068SE-13, Транзистор полевой N-канальный 60В 4.1A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 4.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 68 мОм |
| Мощность макс.: | 2Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 10.3нКл |
| Входная емкость: | 502пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.5 г. |
| Наименование: | DMN6068SE-13 |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт. |
| Корпус: | SOT-223 |
Описание
DMN6068SE-13, Транзистор полевой N-канальный 60В 4.1A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 68 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Diodes Incorporated. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.