FDD6N50TM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A DPAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 6A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 900 мОм @ 3А, 10В |
| Мощность макс.: | 89Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 16.6нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 9400пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | FDD6N50TM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
| Корпус: | D-Pak |
Описание
Компонент FDD6N50TM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A DPAK - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A(Tc) Сопротивление открытого канала: 900 мОм @ 3А, 10В Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.