IRLD110PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 1A |
| Сопротивление открытого канала: | 540 мОм |
| Мощность макс.: | 1.3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 6.1нКл |
| Входная емкость: | 250пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Наименование: | IRLD110PBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 100 шт |
Описание
IRLD110PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.