PMV32UP,215, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4А 0.93Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 4A |
| Сопротивление открытого канала: | 36 мОм |
| Мощность макс.: | 510мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 950mВ |
| Заряд затвора: | 15.5нКл |
| Входная емкость: | 1890пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 (TO-236AB) |
| Вес брутто: | 0.06 г. |
| Наименование: | PMV32UP,215 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET P-канальный PMV32UP,215 от производителя NEXPERIA. Этот компонент отличается надёжностью, эффективностью и широким спектром применения в современной электронике.
Основные характеристики транзистора PMV32UP,215:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В
- Ток стока макс.: 4A
- Сопротивление открытого канала: 36 мОм
- Мощность макс.: 510мВт
- Тип транзистора: P-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ
- Заряд затвора: 15.5нКл
- Входная емкость: 1890пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-23 (TO-236AB)
- Вес брутто: 0.06 г.
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 3000 шт
Транзистор PMV32UP,215 идеально подходит для использования в различных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, регуляторы мощности, усилители и многие другие приложения, где требуется надёжный и эффективный P-канальный MOSFET транзистор.