IPD60R2K1CEBTMA1, Полевой транзистор N-канальный 600В TO-252-3
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 2.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.1 Ом |
| Мощность макс.: | 22Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | ±20В |
| Заряд затвора: | 6.7нКл |
| Входная емкость: | 140пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPD60R2K1CEBTMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 |
| Нормоупаковка: | 1 шт. |
Описание
IPD60R2K1CEBTMA1, Полевой транзистор N-канальный 600В TO-252-3 - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 2.1 Ом Мощность макс.: 22Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.