• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IPD60R2K1CEBTMA1, Полевой транзистор N-канальный 600В TO-252-3

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:600В
Ток стока макс.:2.3A
Сопротивление открытого канала:2.1 Ом
Мощность макс.:22Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:±20В
Заряд затвора:6.7нКл
Входная емкость:140пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Наименование:IPD60R2K1CEBTMA1
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Нормоупаковка:1 шт.

Описание

IPD60R2K1CEBTMA1, Полевой транзистор N-канальный 600В TO-252-3 - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.

Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.

Основные параметры:

  • Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 2.1 Ом Мощность макс.: 22Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В

Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.

Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.