2N7002T, Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 115мА |
| Сопротивление открытого канала: | 7.5 Ом |
| Мощность макс.: | 200мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Входная емкость: | 50пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | 2N7002T |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
| Корпус: | SOT523F |
Описание
Компонент 2N7002T, Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.