SI7309DN-T1-E3, Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 8 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 8A |
| Сопротивление открытого канала: | 115 мОм |
| Мощность макс.: | 19.8Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 22нКл |
| Входная емкость: | 600пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | PowerPAKВ® 1212-8 |
| Наименование: | SI7309DN-T1-E3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI7309DN-T1-E3, Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 8 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 19.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.