FDA38N30, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 300В |
| Ток стока макс.: | 38A |
| Сопротивление открытого канала: | 85 мОм |
| Мощность макс.: | 312Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 60нКл |
| Входная емкость: | 2600пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-3P(N) |
| Вес брутто: | 7.4 г. |
| Наименование: | FDA38N30 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 300V TO-3 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 30 шт |
Описание
FDA38N30, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.