STD3NK50ZT4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.3A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 2.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 3.3 Ом |
| Мощность макс.: | 45Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 15нКл |
| Входная емкость: | 280пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.66 г. |
| Наименование: | STD3NK50ZT4 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор MOSFET N-канальный STD3NK50ZT4 от компании ST Microelectronics. Этот высокопроизводительный компонент обладает впечатляющими характеристиками и широкими возможностями применения в современной электронной промышленности.
Транзистор STD3NK50ZT4 отличается высоким напряжением сток-исток до 500 В и максимальным током стока до 2.3 А, что делает его идеальным выбором для использования в различных мощных схемах и устройствах. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала в 3.3 Ом, транзистор обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери энергии.
- Напряжение исток-сток макс.: 500В
- Ток стока макс.: 2.3A
- Сопротивление открытого канала: 3.3 Ом
- Мощность макс.: 45Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Заряд затвора: 15нКл
- Входная емкость: 280пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: DPAK/TO-252AA
- Вес брутто: 0.66 г
Транзистор STD3NK50ZT4 находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, мощные усилители, инверторы, преобразователи, регуляторы напряжения и другие высокопроизводительные устройства. Благодаря своим выдающимся характеристикам, он является отличным выбором для инженеров, разработчиков и энтузиастов, работающих над созданием современных электронных систем.