STP4N80K5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 60Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 3A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.5 Ом |
| Мощность макс.: | 60Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 10.5нКл |
| Входная емкость: | 175пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 2.8 г. |
| Наименование: | STP4N80K5 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию транзистор полевой MOSFET N-канальный STP4N80K5 от компании ST Microelectronics. Этот высоковольтный транзистор с максимальным напряжением сток-исток 800В и током стока до 3А является отличным решением для широкого спектра применений в силовой электронике.
Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 2.5 Ом и высокой мощности рассеяния до 60Вт, данный транзистор обеспечивает высокую эффективность и надежность работы в различных схемах. Его можно использовать в импульсных источниках питания, преобразователях постоянного тока, инверторах, драйверах двигателей и многих других устройствах.
- Напряжение исток-сток макс.: 800В
- Ток стока макс.: 3A
- Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
- Мощность макс.: 60Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Заряд затвора: 10.5нКл
- Входная емкость: 175пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220
- Вес брутто: 2.8 г.
Транзистор STP4N80K5 отлично подходит для использования в различных силовых схемах, где требуется высокое напряжение, ток и мощность. Его можно применять в импульсных источниках питания, преобразователях постоянного тока, инверторах, драйверах двигателей, а также в других устройствах силовой электроники.