Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор MOSFET N-канальный STP8NK100Z от компании ST Microelectronics. Данный компонент отличается высокими характеристиками и надежностью, что делает его незаменимым в различных электронных схемах и устройствах.

Транзистор STP8NK100Z обладает максимальным напряжением сток-исток 1000В, максимальным током стока 6.5А и максимальной мощностью 160Вт. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 1.85 Ом, этот MOSFET-транзистор отличается высокой эффективностью и малыми потерями.

• Напряжение исток-сток макс.: 1000В
• Ток стока макс.: 6.5A
• Сопротивление открытого канала: 1.85 Ом
• Мощность макс.: 160Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
• Заряд затвора: 102нКл
• Входная емкость: 2180пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.9 г

Транзистор STP8NK100Z находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, управление двигателями, усилители мощности и другие устройства, где требуются высокие напряжения, токи и мощности. Благодаря своим характеристикам, этот MOSFET-транзистор является отличным выбором для инженеров, разработчиков и энтузиастов, работающих над созданием надежных и высокопроизводительных электронных систем.