STW15NK50Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 160Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 14A |
| Сопротивление открытого канала: | 340 мОм |
| Мощность макс.: | 160Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 106нКл |
| Входная емкость: | 2260пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-247 |
| Вес брутто: | 6.73 г. |
| Наименование: | STW15NK50Z |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 500V 14A |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 30 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой MOSFET транзистор STW15NK50Z от известного производителя ST Microelectronics. Этот надежный и мощный компонент обладает широким спектром характеристик, которые делают его незаменимым для различных электронных схем и устройств.
STW15NK50Z - это N-канальный MOSFET транзистор с максимальным напряжением сток-исток 500В и максимальным током стока 14А. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала 340 мОм и максимальной мощности 160Вт, этот транзистор идеально подходит для использования в высоковольтных и высокомощных применениях, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения и другие устройства.
- Напряжение исток-сток макс.: 500В
- Ток стока макс.: 14А
- Сопротивление открытого канала: 340 мОм
- Мощность макс.: 160Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Заряд затвора: 106нКл
- Входная емкость: 2260пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-247
- Вес брутто: 6.73 г
Благодаря своим характеристикам, STW15NK50Z широко используется в различных областях электроники, включая промышленное оборудование, бытовую технику, автомобильную электронику и многое другое. Этот транзистор обеспечивает надежную и эффективную работу, делая его идеальным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать высокопроизводительные и надежные электронные устройства.