2N7000TA, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350мА, 0.4Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 200мА |
| Сопротивление открытого канала: | 5 Ом |
| Мощность макс.: | 400мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Входная емкость: | 50пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO92/formed lead |
| Вес брутто: | 0.3 г. |
| Наименование: | 2N7000TA |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92 |
| Тип упаковки: | Amunition Pack (лента в коробке) |
| Нормоупаковка: | 2000 шт |
Описание
2N7000TA, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350мА, 0.4Вт - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.