SI3430DV-T1-GE3, Транзистор MOSFET одиночный
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100V |
| Ток стока макс.: | 1.8A (Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 170 mOhm @ 2.4A, 10V |
| Мощность макс.: | 1.14W |
| Тип транзистора: | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2V @ 250 µA (Min) |
| Заряд затвора: | 6.6nC @ 10V |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23-6 |
| Наименование: | SI3430DV-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Компонент SI3430DV-T1-GE3, Транзистор MOSFET одиночный - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100V Ток стока макс.: 1.8A (Ta) Сопротивление открытого канала: 170 mOhm @ 2.4A, 10V Мощность макс.: 1.14W Тип транзистора: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.