2N7002ET1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 260мА, 0.3Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 260мА |
| Сопротивление открытого канала: | 2.5 Ом |
| Мощность макс.: | 300мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 0.81нКл |
| Входная емкость: | 26.7пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 |
| Вес брутто: | 0.03 г. |
| Наименование: | 2N7002ET1G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
2N7002ET1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 260мА, 0.3Вт - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 260мА Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.