NX3008PBKW,115, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 0.31Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 200мА |
| Сопротивление открытого канала: | 4.1 Ом |
| Мощность макс.: | 260мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Automotive, Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.1В |
| Заряд затвора: | 0.72нКл |
| Входная емкость: | 46пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-323 |
| Вес брутто: | 0.03 г. |
| Наименование: | NX3008PBKW,115 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V SOT323 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET P-канальный NX3008PBKW,115 от производителя NEXPERIA. Этот компонент обладает широким набором характеристик, делающих его универсальным решением для различных электронных схем.
Транзистор NX3008PBKW,115 отличается высокой надежностью и соответствует требованиям автомобильной электроники. Он имеет встроенные логические уровни управления, что упрощает его интеграцию в цифровые схемы. Благодаря малым размерам корпуса SOT-323, компонент идеально подходит для использования в компактных устройствах.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 200мА
- Сопротивление открытого канала: 4.1 Ом
- Мощность макс.: 260мВт
- Тип транзистора: P-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В
- Заряд затвора: 0.72нКл
- Входная емкость: 46пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-323
- Вес брутто: 0.03 г
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 3000 шт
Транзистор NX3008PBKW,115 находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как системы управления питанием, аналоговые и цифровые схемы, а также в автомобильной электронике. Его характеристики делают его идеальным выбором для задач, требующих надежного и эффективного управления электронными компонентами.