FDD7N25LZTM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 6.2A DPAK-3
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 250В |
| Ток стока макс.: | 6.2A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 550 мОм @ 3.1А, 10В |
| Мощность макс.: | 56Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 16нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 635пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | FDD7N25LZTM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3 |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
FDD7N25LZTM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 6.2A DPAK-3 - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 6.2A(Tc) Сопротивление открытого канала: 550 мОм @ 3.1А, 10В Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.