FDPF3860T, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 33Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 20A |
| Сопротивление открытого канала: | 38.2 мОм |
| Мощность макс.: | 33.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 35нКл |
| Входная емкость: | 1800пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FDPF3860T |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 100 V, 20 A, 33 W |
| Тип упаковки: | Bulk (россыпь) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
FDPF3860T, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 33Вт - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 38.2 мОм Мощность макс.: 33.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.