FDP150N10A_F102, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 50 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 50A |
| Сопротивление открытого канала: | 15 мОм |
| Мощность макс.: | 91Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 21нКл |
| Входная емкость: | 1440пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FDP150N10A_F102 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
FDP150N10A_F102, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 50 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.