FDS5670, Транзистор полевой N-канальный 60В 10A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 10A |
| Сопротивление открытого канала: | 14 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 70нКл |
| Входная емкость: | 2900пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Наименование: | FDS5670 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
FDS5670, Транзистор полевой N-канальный 60В 10A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.