FDD6N50FTM, Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.5 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 5.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.15 Ом |
| Мощность макс.: | 89Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 19.8нКл |
| Входная емкость: | 960пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | FDD6N50FTM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Компонент FDD6N50FTM, Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.5 А - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1.15 Ом Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.