FQPF3N80C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8А 39Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 3A |
| Сопротивление открытого канала: | 4.8 Ом |
| Мощность макс.: | 39Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 16.5нКл |
| Входная емкость: | 705пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 2.9 г. |
| Наименование: | FQPF3N80C |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | N-MOS+D 800V, 1.8A, 39W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Компонент FQPF3N80C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8А 39Вт - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.