FQA65N20, Транзистор полевой N-канальный 200В 65A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 65A |
| Сопротивление открытого канала: | 32 мОм |
| Мощность макс.: | 310Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 200нКл |
| Входная емкость: | 7900пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-3P |
| Вес брутто: | 6.401 г. |
| Наименование: | FQA65N20 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 450 шт. |
Описание
FQA65N20, Транзистор полевой N-канальный 200В 65A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.