FDME910PZT, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 8 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 8A |
| Сопротивление открытого канала: | 24 мОм |
| Мощность макс.: | 700мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 21нКл |
| Входная емкость: | 2110пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | FDME910PZT |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P CH 20V 8A MICROFET |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 5000 шт. |
| Корпус: | MicroFET6(1.6x1.6) |
Описание
Техническое описание: FDME910PZT, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 8 А. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Описание Eng: MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 24 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: P-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)