FDMS86300, Транзистор полевой N-канальный 80В 19A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 80В |
| Ток стока макс.: | 19A |
| Сопротивление открытого канала: | 3.9 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 86нКл |
| Входная емкость: | 7082пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | Power56 |
| Вес брутто: | 0.1 г. |
| Наименование: | FDMS86300 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 80V 19A POWER56 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
Компонент FDMS86300, Транзистор полевой N-канальный 80В 19A (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 19A
- Вес брутто: 0.1 г.
- Входная емкость: 7082пФ
- Заряд затвора: 86нКл
- Корпус: Power56
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Наименование: FDMS86300