FDN357N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.9А 0.5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 1.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 60 мОм |
| Мощность макс.: | 460мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 5.9нКл |
| Входная емкость: | 235пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | 3-SSOT |
| Вес брутто: | 0.05 г. |
| Наименование: | FDN357N |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
FDN357N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.9А 0.5Вт — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Нормоупаковка: 3000 шт
- Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 60 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал