FQP12P10, Транзистор полевой P-канальный 100В 11.5A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 11.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 290 мОм |
| Мощность макс.: | 75Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 27нКл |
| Входная емкость: | 800пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FQP12P10 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
Описание
Техническое описание: FQP12P10, Транзистор полевой P-канальный 100В 11.5A. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Мощность макс.: 75Вт
- Наименование: FQP12P10
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Нормоупаковка: 1000 шт.
- Описание Eng: MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 290 мОм