FCD5N60TM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.6A DPAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 4.6A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 950 мОм @ 2.3А, 10В |
| Мощность макс.: | 54Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 16нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 600пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | FCD5N60TM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
| Корпус: | D-Pak |
Описание
FCD5N60TM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.6A DPAK - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.6A(Tc) Сопротивление открытого канала: 950 мОм @ 2.3А, 10В Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.