FDB8443, Транзистор MOSFET одиночный
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 40В |
| Ток стока макс.: | 25A(Ta),120A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 3 мОм @ 80А, 10В |
| Мощность макс.: | 188Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 185нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 9310пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Наименование: | FDB8443 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
FDB8443, Транзистор MOSFET одиночный - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 25A(Ta),120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 80А, 10В Мощность макс.: 188Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.