SI3493BDV-T1-E3, Транзистор полевой P-канальный 20В 8A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 8A |
| Сопротивление открытого канала: | 27.5 мОм |
| Мощность макс.: | 2.97Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 900mВ |
| Заряд затвора: | 43.5нКл |
| Входная емкость: | 1805пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23-6 |
| Наименование: | SI3493BDV-T1-E3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
Компонент SI3493BDV-T1-E3, Транзистор полевой P-канальный 20В 8A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 27.5 мОм Мощность макс.: 2.97Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ
Производитель: Vishay. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.