FDD5612, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 5.4 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 5.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 55 мОм |
| Мощность макс.: | 1.6Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 11нКл |
| Входная емкость: | 660пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | FDD5612 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Техническое описание: FDD5612, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 5.4 А. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Сопротивление открытого канала: 55 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 5.4A
- Входная емкость: 660пФ
- Заряд затвора: 11нКл
- Корпус: DPAK/TO-252AA