FDD120AN15A0, Транзистор полевой N-канальный 150В 14A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 2.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 120 мОм |
| Мощность макс.: | 65Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 14.5нКл |
| Входная емкость: | 770пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.66 г. |
| Наименование: | FDD120AN15A0 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Компонент FDD120AN15A0, Транзистор полевой N-канальный 150В 14A (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 120 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 2.8A
- Вес брутто: 0.66 г.