FDC3512, Транзистор полевой N-канальный 80В 3A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 80В |
| Ток стока макс.: | 3A |
| Сопротивление открытого канала: | 77 мОм |
| Мощность макс.: | 800мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 18нКл |
| Входная емкость: | 634пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SSOT6 |
| Наименование: | FDC3512 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 80V 3A SSOT-6 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
FDC3512, Транзистор полевой N-канальный 80В 3A — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Нормоупаковка: 3000 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 80V 3A SSOT-6
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 77 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал