FDD6630A, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 21 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 21A |
| Сопротивление открытого канала: | 35 мОм |
| Мощность макс.: | 1.3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 7нКл |
| Входная емкость: | 462пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.793 г. |
| Наименование: | FDD6630A |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Техническое описание: FDD6630A, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 21 А. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Ток стока макс.: 21A
- Вес брутто: 0.793 г.
- Входная емкость: 462пФ
- Заряд затвора: 7нКл
- Корпус: DPAK/TO-252AA
- Мощность макс.: 1.3Вт
- Наименование: FDD6630A
- Напряжение исток-сток макс.: 30В