FDS5680, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 8 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 8A |
| Сопротивление открытого канала: | 20 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 42нКл |
| Входная емкость: | 1850пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | FDS5680 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 8A SO-8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Техническое описание: FDS5680, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 8 А. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Ток стока макс.: 8A
- Вес брутто: 0.2 г.
- Входная емкость: 1850пФ
- Заряд затвора: 42нКл
- Корпус: SOIC8
- Мощность макс.: 1Вт
- Наименование: FDS5680
- Напряжение исток-сток макс.: 60В